本文摘要：基于AlGaN的UVLED由于不存在较低的内部量子效率、较低转换成效率、较低掺入效率、极化电场大以及劣分列密度外延高等缺点，容许了UVLED的高功率应用于．．．沙特阿拉伯阿布杜纳国王科技大学（KingAbdullahUniversityofScienceandTechnology；KAUST）的研究人员在最近一期的《光学租车》（OpticsExpress）期刊中公开发表一种设计紫外光发光二极管（UVLED）的新途径，能让基于氮化铝镓（AlGaN）的UVLED效率不至于波动。

基于AlGaN的UVLED由于不存在较低的内部量子效率、较低转换成效率、较低掺入效率、极化电场大以及劣分列密度外延高等缺点，容许了UVLED的高功率应用于．．．沙特阿拉伯阿布杜纳国王科技大学（KingAbdullahUniversityofScienceandTechnology；KAUST）的研究人员在最近一期的《光学租车》（OpticsExpress）期刊中公开发表一种设计紫外光发光二极管（UVLED）的新途径，能让基于氮化铝镓（AlGaN）的UVLED效率不至于波动。一般来说，基于AlGaN的UVLED由于不存在较低的内部量子效率、较低转换成效率、较低掺入效率、极化电场大以及劣分列密度外延高等缺点，这些都容许了UVLED在高功率的应用于。

在钛／硅基板上生长的3D奈米线UVLED示意图研究人员一开始使用钛覆盖面积的硅晶圆以及依赖电浆辅助的分子束外延（PAMBE），使其以求生长有效地隔绝的无缺失硅掺入氮化镓（GaN）奈米线，其中每一个都映射10个均匀分布构成AlGaN／AlGaN量子磁盘（Qdisk）的堆栈。虽然每一升空奈米线的直径约8nm、长约350nm，但在实际的实验中，肉眼可见的大型LED是由一整区密集冲刷的横向排序奈米线（以约9x109cm＾?2的密度）所构成。

奈米线的结构性特征：（a）横截面SEM图表明横向排序的奈米线（b）在Ti／Si基底上生长的组件俯视图表明密切冲刷的奈米线（c）表明n型AlGaN层、AlGaN／AlGaNQDisk、p型AlGaN和p－GaN层的AlGaN奈米线低角度环形暗场影像（HAADF－STEM）（d）主动区表明10对均匀分布的Qdisks构成（e）Qdisk的缩放影像表明有所不同的Qdisk构成变化。该组件在钛涂覆的n型硅基板上生长，以提高电流流经与热力学系统，它们在337nm（具备11．7nm的较宽线宽）时升空UV光源，其电流密度为32A／cm＾2（在0．5×10．5mm＾2组件上约80mA），导通电压大约为5．5V。

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